双降场区RESURF LDMOS

摘要

该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ ＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐压。