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新型双RESURF TG-LDMOS器件结构

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摘要

研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET(DRTG-LDMOS).讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响,以及DRTG-LDMOS的电容特性.与传统的槽栅器件结构相比,新结构在相同的漂移长度和导通电阻下,击穿电压提高了30V,并表现出优异的频率特性.

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来源
《半导体学报》 |2007年第2期|232-236|共5页
作者
许晟瑞; 郝跃; 冯晖; 李德昌; 张进城;
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作者单位

西安电子科技大学技术物理学院;

西安电子科技大学微电子学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
LDMOS; RESURF; 仿真; 击穿电压; 电容;

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