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机译:新型双RESURF LDMOS和多功能JFET器件用作SPIC的内部电源和电流检测器
Center of IC Design, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, People's Republic of China;
RESURF LDMOS; SPIC; current detector; JFET; power supply;
机译:使用具有高速开关功能的SiC RESURF JFET的PWM电源
机译:使用SiC RESURF JFET的高速开关电源
机译:使用SiC RESURF JFET的高速开关电源
机译:Resurf LDMOS(RLDMOS)器件的大电流击穿和UIS行为分析
机译:功率碳化硅器件中的边缘端接和RESURF技术。
机译:具有可调节内部电阻的灵活且生物相容的摩擦纳米发电机可为可穿戴设备供电
机译:n +埋层上植入的resurf p-LDMOS器件的击穿电压模型
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长