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目录
第一章 绪论
1.1 SOI技术的发展概述
1.2 SOI高压功率器件横向耐压技术研究现状
1.3 SOI高压功率器件纵向耐压技术研究现状
1.4本文的主要工作
第二章 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS
2.1 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS结构
2.2 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS工作机理
2.3 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS的击穿特性
2.4 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS的导通特性
2.5 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS性能优化
2.6本章小结
第三章 P+P-top SOI D-RESURF LDMOS工艺设计及优化
3.1 CMOS兼容工艺方案
3.2工艺模拟与工艺条件优化
3.3本章小结
第四章 FFP SOI D-RESURF LDMOS基本性能研究
4.1 FFP SOI D-RESURF LDMOS结构
4.2 FFP SOI D-RESURF LDMOS工作机理
4.3 FFP SOI D-RESURF LDMOS的击穿特性
4.4 FFP D-RESURF LDMOS的导通特性
4.5 FFP SOI D-RESURF LDMOS性能优化
4.6本章小结
第五章 FFP SOI D-RESURF LDMOS工艺设计及优化
5.1 CMOS兼容工艺方案
5.2工艺模拟与工艺条件优化
5.3本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文
附录2 攻读硕士学位期间申请的专利
致谢