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方邵华; 何杞鑫; 姚云龙;
浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所;
高压集成电路; LDMOS器件; 击穿特性; 击穿电压; RESURF; 横向双重扩散型;
机译:具有三个电流传导路径的新型高压伪p-LDMOS器件
机译:具有U形掩埋氧化物特征的新型高压横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件
机译:与p型SOI层上的高压集成电路兼容的高压LDMOS
机译:MOS门控GTO:一种适用于高压电源应用的新型功能集成器件
机译:适用于高压电源应用的碳化硅器件技术。
机译:Riociguat(Adempas):一种治疗肺动脉高压和慢性血栓栓塞性肺动脉高压的新型药物
机译:一种适用于高压低电流漏极应用的新型电化学系统
机译:包括高压LDMOS器件和低压器件的集成电路
机译:LDMOS器件,包括LDMOS器件的集成电路以及制造该器件的方法
机译:集成电路中的LDMOS晶体管器件以及用于制造具有LDMOS晶体管的集成电路的方法
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