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徐向明; 苏庆; 金锋; 王邦麟;
上海华虹NEC电子有限公司;
高压横向扩散金属氧化物半导体; 静电保护; 器件优化; 初始失效; 二次触发;
机译:用于150 V SOI BCD工艺的高压SCR-LDMOS ESD器件的研究
机译:LDMOS和LDMOS-SCR ESD保护器件可靠性下降行为的比较研究
机译:具有改善的ESD保护性能的LDMOS-SCR器件的设计和优化
机译:解决高压LDMOS-SCR器件中的低电流ESD故障和功率可扩展性问题的设计见解
机译:微型电子器件散热问题的数值研究及散热方案的优化
机译:避孕套多久失效一次? :一项横断面研究探索美国南部的黑白MSM中避孕套使用不当避孕套失效和其他避孕套问题
机译:基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化
机译:具有失效元素的相控阵天线方向图的优化
机译:嵌入式高压LDMOS-SCR器件具有强大的电压钳位和ESD鲁棒性
机译:具有强电压钳位和ESD稳健性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件
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