LDMOS器件ESD防护特性分析与优化设计

摘要

LDMOS器件具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于功率集成电路中,但在ESD防护过程中易发生双回滞而降低ESD鲁棒性.基于0.25 μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺,分析了LDMOS器件峰值电场的转移是发生双回滞现象并引起弱鲁棒性的主要原因,提出阳极用P+替代N+的版图改进方法.TLP测试制备的LDMOS器件显示,器件漏电流稳定维持在10-8A量级,二次失效电流大于9A.结果表明,抑制的双回滞能有效增强鲁棒性,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护.