LDMOS

摘要： 伴随半导体器件及其制造工艺的不断发展完善,高性能MOSFET器件日渐走上发展舞台,一跃成为主流功率器件。因其能耐高压、可耐受电流大和热稳定性良好等优势,在日常生活中的多个电气设备领域中都有着广泛的应用。本文基于高压BCD工艺,针对用于高压MOSFET半桥驱动电路中的高压电平位移电路进行了仿真设计。该电路能够有效提高器件控制能力,实现将低电源轨信号传输到浮动高电源轨,较普通电路而言大大降低了电路功耗,提高了电路的抗噪性能和稳定性能。

摘要： 设计一种基于功率合成方式的功率放大器,工作于400~800 MHz频段范围。模块内部采用4个功放管合成的方式,可实现宽频带800 W的功率输出;内部通过多级放大的方式,可获得较高的增益和较小的带内波动。针对P频段特点,选择大功率LDMOS器件,采用基于平面微带电容混合电路的匹配电路、功率分配和合成方式,最终效率达到45%以上。

摘要： 伟创力电源模块(Flex Power Modules)宣布推出面向射频(RF)功率放大器的半砖封装数字DC/DC转换器BMR685,该转换器可提供高达1300 W的连续输出功率。BMR685的功率处理能力使其非常适合用于这些大功率RF功率放大器应用,并能同时满足LDMOS和GaN两者所需。

摘要： 比导通电阻和击穿电压之间的权衡问题是功率LDMOS的主要研究对象.文章针对LDMOS器件性能提升的不同研究方法展开调研,并总结与概括了近年来性能提升的主要方法.

摘要： 为提升器件击穿特性,在Double-RESURF器件的衬底上引入N型的浮空层,构建出一种带部分浮空层的LDMOS器件.利用TCAD仿真软件对器件进行仿真,通过建立二维击穿模型的建立,对器件的结构参数进行优化,实现提升器件的击穿性能的目的.结果表明对器件结构参数进行优化可以改善器件的击穿性能.

摘要： 埃赋隆半导体(Ampleon)宣布推出两款新的宽带放大器系列——额定电压为32V的BLP15M9Sxxx器件和额定电压为50V的BLP15H9Sxxx器件,從而进一步加强其先进而又高性价比的射频功率放大器解决方案的产品组合。BLP15M9Sxxx和BLP15H9Sxxx这两个系列分别基于公司的第9代LDMOS技术和高压LDMOS技术生产,并且均支持高达2GHz的频率。它们能够支持连续波(CW)和脉冲信号操作,并表现出更高的稳定性。BLP15MSxxx系列包括可提供100W、70W和30W功率的专用器件。

摘要： 为了缓解LDMOS中比导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,提出了一种具有2层堆叠结构的LDMOS器件.该结构由2个独立的LDMOS器件堆叠形成,因而在此器件导通时,2个LDMOS的漂移区形成了2条电流路径,且由于上层LDMOS的衬底能够将2条电流路径隔离,从而使得2条路径上的电流独立工作而不互相干扰,进而提高器件的导通电流.另外,上层LDMOS的漂移区能够同时被其衬底以及内部的P埋层和P浮空层耗尽,下层LDMOS的漂移区也能同时被上下两层LDMOS的衬底耗尽,于是上下两层LDMOS的漂移区浓度得到了较大提升,两层堆叠LDMOS器件的比导通电阻也获得了改善.在上下两层LDMOS的界面处分别引入P-top区和N-top区,可有效降低下层LDMOS漏源附近高的电场强度,从而防止其在这两端提前发生击穿现象,继而提高了两层堆叠LDMOS器件的击穿电压.使用半导体二维仿真软件对器件的结构参数进行模拟验证.结果表明,两层堆叠LDMOS的击穿电压为356 V,比导通电阻为13.56 mΩ·cm2,与常规LDMOS相比,分别改善了26.2％和71.6％.

摘要： 凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,无论是在功率,还是射频应用领域,GaN都代表着高功率和高性能应用场景的未来,将在很大程度上替代砷化镓(GaAs)和LDMOS。而在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)。当然,除了以上这两种主流技术外,还有GaN-on-sapphire,以及GaN-on-GaN技术。

摘要： 本文介绍了LDMOS功率器件的特性，通过与传统Si功率器件相比较，LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点，在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景，本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析，并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件，对LDMOS功率放大组件进行性能测试，根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。

摘要： 本文介绍了LDMOS功率器件的特性，通过与传统Si功率器件相比较，LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点，在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景，本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析，并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件，对LDMOS功率放大组件进行性能测试，根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。

摘要： 本文介绍了LDMOS功率器件的特性，通过与传统Si功率器件相比较，LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点，在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景，本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析，并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件，对LDMOS功率放大组件进行性能测试，根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。

摘要： 本文介绍了LDMOS功率器件的特性，通过与传统Si功率器件相比较，LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点，在固态雷达发射系统中有广阔的应用前景，本文对LDMOS功率器件在固态雷达发射系统中应用进行理论分析，并利用LDMOS功率器件设计制作了P波段300W功放组件，对LDMOS功率放大组件进行性能测试，根据试验数据分析应用LDMOS功率器件对固态雷达发射系统的影响。

摘要： 为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

摘要： 为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

摘要： 为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

摘要： 为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

摘要： 为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种解析模型.通过与器件模拟工具ISE TCAD模拟结果的比较,验证了该模型的正确性,并讨论了该模型的相关性质,分析了栅极和漏区对漂移区电势和电场分布的影响.

摘要： 射频大功率LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)以其高工作频率和高性价比而得到广泛的应用.而跨导决定射频LDMOS性能的重要静态参数之一,本文针对射频大功率LDMOS的跨导模型进行了深入的研究.首先分析了射频大功率LDMOS中的电子运动規律,指出在射频大功率LDMOS中沟道和漂移区均可能出现电子速度饱和;在此基础上推导射频大功率LDMOS的跨导模型;最后,通过与实芯片测试结果的比较,验证了该模型适用性,并讨论了该模型的相关性质.

摘要： 本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法和LDMOS器件，该方法包括：在衬底中形成阱掺杂区；在衬底上形成栅氧，栅氧的底部与阱掺杂区的上表面具有交叠区域；在栅氧上形成多晶硅栅，多晶硅栅和栅氧形成台阶型结构；进行至少两次漂移区离子注入，在衬底中形成漂移区，漂移区覆盖阱掺杂区和栅氧的底部，至少两次漂移区离子注入中存在至少两次漂移区离子注入的能量不同；进行重掺杂离子注入，在阱掺杂区内分别形成源端和沟道引出端，在漂移区内形成漏端。本申请通过在形成栅氧和多晶硅栅后，进行至少漂移区离子注入，从而使漂移区的掺杂浓度在横向方向上的分布不均匀，降低了器件的击穿几率。

摘要： 公开了一种具有下沉区连结的LDMOS器件。该LDMOS器件具有掩埋层、第一阱区和连接所述掩埋层和第一阱区的下沉区。LDMOS器件具有沟槽，其上部分由所述第一阱区绕环而其下部分由下沉区环绕。LDMOS器件中还形成有沟槽，使得下沉区可以通过穿过沟槽的离子注入来形成。沟槽填充有非导电材料。利用本发明提出的LDMOS器件，下沉区将更加容易形成，从而使得第一阱区和掩埋层之间的连接更加容易和并且连接得更好。

摘要： 本申请公开了一种LDMOS器件的制作方法、LDMOS器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括提供一衬底，在衬底上制作体区和漂移区；在体区内制作体接触区和源区，在漂移区内制作漏区；体接触区和源区之间有浅沟槽隔离；在衬底表面制作栅极；沉积层间介质层；在层间介质层制作接触孔和矩形槽阵列；接触孔与体接触区、源区、漏区、栅极分别连接，矩形槽阵列位于漂移区的上方；其中，矩形槽阵列包括若干个矩形槽，矩形槽的开口宽度小于接触孔的开口宽度，矩形槽的开口宽度逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题；达到了提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性的效果。

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法及LDMOS器件。所述LDMOS器件场板隔离介质层的制作方法包括：在硅衬底上依次生长硅氧化物层和氮化物层；对氮化物层和硅氧化物层进行刻蚀处理形成刻蚀窗口；沿刻蚀窗口对硅衬底进行热氧化处理，以在硅衬底上生长硅氧化物牺牲层；去除硅氧化物牺牲层以在硅衬底上形成沉积槽；在沉积槽内沉积介质材料，以在硅衬底上形成介质层；对所述介质层进行平坦化处理。本发明通过热氧化形成的牺牲层，刻蚀牺牲层形成沉积槽，相对于现有STI工艺，对硅衬底没有损伤，因此不需要进行高温退火处理，且形成的场板隔离介质层的界面平整，平坦性好。

摘要： 本发明公开了一种LDMOS器件、抑制热载流子效应所导致LDMOS器件退化的方法。所述方法包括至少调整所述LDMOS器件的沟道掺杂区的掺杂分布，使所述LDMOS器件的半导体结构层内形成沟道价带能带的能谷，并使电子位于所述能谷内，从而在所述LDMOS器件的半导体结构层与栅氧化层之间形成势垒，所述势垒至少能够阻止电子轰击所述半导体结构层与栅氧化层的界面。本发明提供的方法能够提高热载流子注入效应的极限，使器件的导通电阻降低50％，饱和电流提升105％。

摘要： 本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成硅材料层；至少在硅材料层的预定表面上形成HK介质层；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成栅极、源极和漏极。该方法使得关闭状态时漂移区中的大部分电通量流向HK介质层，有助于漂移区耗尽，从而可以增加漂移区的掺杂浓度，在开启状态减小器件的导通电阻，进而解决了现有技术为了得到大的击穿电压，延长漂移区导致器件性能变差的问题。

摘要： 本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；所述半导体衬底内形成有漂移区和体区，所述源极结构与体区相接，所述漏极结构与所述漂移区相接，所述栅极结构形成在所述源极结构与所述漏极结构之间；所述漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，所述漏极掺杂区形成在所述漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述漏极金属与所述漏极掺杂区相连；所述漏极掺杂区上方还形成有空气腔，所述空气腔环绕在所述漏极金属的四周。空气腔内填充空气介质，空气介质围绕漏极金属，降低漏端的电场，提高击穿电压。

摘要： 本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；半导体衬底内形成有漂移区和体区，栅极结构形成在源极结构和漏极结构之间；源极结构包括源极掺杂区和源极金属，源极掺杂区形成在体区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，源极金属与源极掺杂区相连；漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，漏极掺杂区形成在漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，漏极金属与漏极掺杂区相连；源极掺杂区与漏极掺杂区上方还形成有low‑K介质层，low‑K介质层环绕在源极金属和漏极金属的四周。

摘要： 本申请公开了一种LDMOS器件的形成方法和LDMOS器件，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有环绕的STI结构，环绕的STI结构内为有源区，有源区上形成有栅氧，栅氧上形成有栅极，有源区内形成有阱掺杂区和漂移区，阱掺杂区中形成有源极和沟道引出极，漂移区中形成有漏极；在衬底、栅极和栅氧的表面形成张应力的硬掩模层；在张应力的硬掩模层的表面形成层间介质层；在层间介质层和张应力的硬掩模层中形成第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，第一金属连线的底端与源极和沟道引出极连接，第二金属连线的底端和栅极连接，第三金属连线的底端与漏极连接；进行热处理，在热处理的过程中通过氘气穿过张应力的硬掩模层中和栅极表面的悬挂键。

摘要： 本发明公开了一种LDMOS器件制作方法，包括在衬底或外延层上形成浅沟槽隔离、栅介质层并定义多晶硅栅；形成高能量漂移区和RESUR层注入区，以及低能量漂移区；多晶硅栅进行光刻，刻蚀后保留光刻胶，进行注入形成体区；形成侧墙，在体区形成第一重掺杂区和第二重掺杂区,在低能量漂移区形成第一重掺杂区，沉积金属硅化反应阻挡介质层；在多晶硅栅、第一重掺杂区和第二重掺杂区和表面形成金属硅化物；沉积绝缘介质刻蚀停止层，沉积层间介质层；形成多个接触孔和第一金属层，近沟道一侧的第一部分接触孔通过金属层短接至栅极，靠近漏极一侧的第二部分接触孔短接至源极。本发明还公开了一种LDMOS器件和一种用于制作所述LDMOS器件的终端设备。