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ESD self protecting NLDMOS device and NLDMOS array

机译:ESD自保护NLDMOS器件和NLDMOS阵列

摘要

In an NLDMOS array, the source fingers are terminated by p+ Pbody diffusions or Pbody diffusions. The drain-source spacing is reduced by arranging p+ Pbody regions for contacting the Pbody, in line with n+ source regions to define source fingers with interdigitated p+ Pbody regions.
机译:在NLDMOS阵列中,源极指状点通过p + Pbody扩散或Pbody扩散终止。通过与n +源极区域对齐排列p + Pbody区域以接触Pbody来减小漏极-源极间距,以定义具有叉指的p + Pbody区域的源极指状体。

著录项

  • 公开/公告号US2012007140A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VLADISLAV VASHCHENKO;

    申请/专利号US20100804070

  • 发明设计人 VLADISLAV VASHCHENKO;

    申请日2010-07-12

  • 分类号H01L27/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:32:58

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