声明
摘要
第一章 绪论
1．1 ESD现象的产生、危害及其保护
1．2 ESD的放电模型
1．3 集成电路的ESD测试和失效分析
1．4 高压功率器件的ESD保护研究现状
1．5 本论文的研究目标与主要工作
第二章 600V NLDMOS器件及其ESD特性的研究方法
2．1 600V NLDMOS器件的结构及工艺
2．2 600V NLDMOS器件的特性和功能
2．3 基于TLP测试系统的ESD测试
2．4 基于Sentaurus平台的TLP仿真
2．5 本章小结
第三章 600V NLDMOS器件的ESD响应特性研究
3．1 输出NLDMOS器件的ESD保护原理
3．2 反向泄流区的ESD电学响应特性
3．3 一次击穿和Snapback区的电学响应特性
3．4 维持泄流区和二次击穿的电学响应特性
3．5 NLDMOS器件的热学响应特性
3．6 GC-NLDMOS器件的ESD响应特性
3．7 NLDMOS器件的FSD鲁棒性提升
3．8 本章小结
第四章 600V NLDMOS器件ESD响应特性的模型研究
4．1 NLDMOS器件ESD响应特性的建模方案
4．2 NLDMOS器件ESD响应特性模型的建立
4．3 NLDMOS器件ESD响应特性模型的验证
4．4 本章小结
第五章 总结与展望
5．1 总结
5．2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的成果和发表的论文
