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机译:具有增强型自我保护功能的Power NLDMOS阵列
公开/公告号US2011241109A1
专利类型
公开/公告日2011-10-06
原文格式PDF
申请/专利权人 VLADISLAV VASHCHENKO;
申请/专利号US20100798270
发明设计人 VLADISLAV VASHCHENKO;
申请日2010-04-01
分类号H01L27/088;H01L21/265;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:12:14
机译: ESD自保护NLDMOS器件和NLDMOS阵列
机译: 具有自保护功能的电源装置及其自保护方法