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Power NLDMOS array with enhanced self-protection

机译:具有增强型自我保护功能的Power NLDMOS阵列

摘要

In a self protected NLDMOS array, a deep implant is included on the drain side of each NLDMOS device to balance ESD current.
机译:在自保护的NLDMOS阵列中,每个NLDMOS器件的漏极侧都包含一个深注入,以平衡ESD电流。

著录项

  • 公开/公告号US2011241109A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VLADISLAV VASHCHENKO;

    申请/专利号US20100798270

  • 发明设计人 VLADISLAV VASHCHENKO;

    申请日2010-04-01

  • 分类号H01L27/088;H01L21/265;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:12:14

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