具有高可靠性的增强型双异质结AlGaN/GaN HEMT研究

摘要

本文制作了14nm沟道层厚度的增强型双异质结高电子迁移率晶体管.使用135W低损伤的氟等离子体处理功率使得阈值电压从-3.8V漂移至1.2V,偏移量达到5V,这是在制作增强型器件中较大的数值.经过表面粗糙度测试,发现经过氟等离子体处理后表面粗糙度仅增加0.44nm,漏致势垒降低效应(DIBL)为16mV/V.与耗尽型HEMT相比,增强型HEMT器件的跨导峰值没有较大变化,表明氟等离子体没有较大损伤.退火实验表明,与退火前相比,退火增强型HEMT的沟道电流上升明显,阈值电压和跨导峰值并没有较大变化,这显示出了良好的温度稳定性.通过双脉冲扫描测试,增强型器件的电流崩塌值约为5％,这是一个小的数值.