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鄢永明; 曾云; 夏宇; 张国梁;
湖南大学物理与微电子科学学院;
静电放电保护; 静电放电鲁棒性; 可控硅; 闩锁; 维持电压; 失效电流;
机译:具有改善的ESD保护性能的LDMOS-SCR器件的设计和优化
机译:LDMOS和LDMOS-SCR ESD保护器件可靠性下降行为的比较研究
机译:用于电源IC应用的I / O的高效区域LDMOS-SCR ESD保护器件
机译:通道和漂移区的STI长度对HV 60 V nLDMOS器件中ESD抗扰度的影响
机译:氮化铝镓/氮化镓器件结构的研究和表征,以及材料缺陷和工艺对器件性能的影响。
机译:抗心律失常器件干预对植入心脏除颤器患者生物学性能和焦虑的影响
机译:EsD对复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列的影响
机译:衬底和浓度对CuInse2pV器件器件性能,结形成和薄膜微结构的影响
机译:嵌入式高压LDMOS-SCR器件具有强大的电压钳位和ESD鲁棒性
机译:具有强电压钳位和ESD稳健性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件
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