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谢儒彬; 纪旭明; 吴建伟; 张庆东; 洪根深;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
江苏无锡214035;
辐射加固; 总剂量效应; 单粒子效应; ESD技术;
机译:亚季微米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中的片上ESD保护有源静电放电(ESD)器件
机译:用于150 V SOI BCD工艺的高压SCR-LDMOS ESD器件的研究
机译:在0.5; C; m 5V / 18V CDMOS工艺中研究多指ESD器件的拾取效应
机译:采用自对准硅化物工艺以0.18 / spl mu / m CMOS技术用于高性能ESD保护器件的新型NMOS晶体管
机译:氮化铝镓/氮化镓器件结构的研究和表征,以及材料缺陷和工艺对器件性能的影响。
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:高性能半导体器件选择性湿蚀刻和腐蚀工艺的基础研究
机译:JEsD57测试标准,重离子辐照修正更新测量半导体器件中单事件效应的程序。
机译:使用附加注入区以增强ESD性能的CMOS器件及其制造的器件
机译:半导体器件和包括ESD保护器件的集成电路,ESD保护器件以及制造该半导体器件的方法
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