一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS-SCR器件

摘要

本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS‑SCR器件；本发明通过在第一种导电类型深阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、并且将该重掺杂区与相邻的多晶硅栅用金属线连接，同时在第二种导电类型阱区插入一个第二种导电类型重掺杂区，从而形成改进型LDMOS‑SCR；将器件电流泄放路径由原本的表面寄生NPN路径和体内SCR路径两种路径变为表面寄生gated‑PIN路径以及原表面NPN和体内SCR路径三种路径，使得本发明具有更高的维持电压和鲁棒性；同时，进一步通过调整器件结构实现一种对称性分布的器件结构，得到具有双向处理ESD能力的改进型双向LDMOS‑SCR器件。