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【2h】

Improved LDMOS‐SCR for high‐voltage electrostatic discharge (ESD) protection applications

机译：用于高压静电放电（ESD）保护应用的改进LDMOS-SCR

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Wenqiang Song; Fei Hou; Feibo Du; Jizhi Liu; Zhiwei Liu; Juin J. Liou;
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年度 2020
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1. Improved LDMOS-SCR for high-voltage electrostatic discharge (ESD) protection applications [J] . Wenqiang Song, Fei Hou, Feibo Du, Electronics Letters . 2020,第13期

机译：用于高压静电放电（ESD）保护应用的改进LDMOS-SCR
2. Novel substrate trigger SCR-LDMOS stacking structure for high-voltage ESD protection application [J] . 马金荣, 乔明, 张波中国物理：英文版 . 2015,第004期

机译：用于高压ESD保护应用的新型衬底触发SCR-LDMOS堆叠结构
3. Electrostatic discharge (ESD) protection of N-type silicon controlled rectifier with P-type MOSFET pass structure for high voltage operating I/O application [J] . Kil-Ho Kim, Yong-Jin Seo Microelectronics & Reliability . 2013,第2期

机译：具有P型MOSFET导通结构的N型可控硅整流器的静电放电（ESD）保护，适用于高压操作I / O应用
4. Novel diode-triggered silicon-controlled rectifier (DTSCR) for high-temperature low-voltage electrostatic discharge (ESD) applications [C] . Guo Junxiong, Liu JiZhi, Tian Rui, IEEE International Nanoelectronics Conference . 2016

机译：用于高温低压静电放电（ESD）应用的新型二极管触发可控硅（DTSCR）
5. Design, characterization and compact modeling of novel silicon controlled rectifier (SCR)-based devices for electrostatic discharge (ESD) protection applications in integrated circuits. [D] . Lou, Lifang. 2008

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6. Sensing and Reliability Improvement of Electrostatic-Discharge Transient by Discrete Engineering for High-Voltage 60-V n-Channel Lateral-Diffused MOSFETs with Embedded Silicon-Controlled Rectifiers [O] . Shen-Li Chen, Yi-Cih Wu 2018

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7. CMOS on-chip electrostatic discharge protection circuit using four-SCR structures with low ESD-trigger voltage [O] . Ming-dou Ker, Senior Member, Kuo-chun Hsu 1994

机译：CmOs片上静电放电保护电路，采用具有低EsD触发电压的四sCR结构
8. Electrostatic Discharge (ESD) Simulator Experiment (Testing of Some Switches/Relays for Application to an ESD Simulation Circuit) [R] . Vrachnas, S. A. 1983

机译：静电放电（EsD）模拟器实验（用于EsD仿真电路的某些开关/继电器的测试）

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