HVIC中的高压器件——RESURF结构LDMOSFET

摘要

RESURF(减小表面电场)结构的LDMOSFET(水平沟道二次扩散MOS场效应晶体管)是HVIC(高压集成电路)中较为理想的高压输出器件。本文对RESURF结构的LDMOSFET进行了理论与计算机分析,为探求该器件的设计依据及其与双极器件相兼容的工艺方案,设计了一个包含有NPN,PNP晶体管及不同漂移区长度的RESURF试验模型,并进行了工艺流片,获得了耐压为350V与低压双极器件相兼容的高压RESURF结构的LDMOSFET。