第2世代分割RESURF構造を適用したHVIC技術

摘要

近年の環境問題に対する意識の高まりから，省エネルギー技術への関心は年々増加している。この省エネルギー技術の一つとして注目されるパワーエレクトロニクスで重要な役割を果たしているのが，IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等のパワー半導体素子とそれらを制御する回路技術である。三菱電機では，このパワー半導体素子の制御回路を1チップに搭載したHVIC （High Voltage Integrated Circuit：高電圧集積回路）を開発し，IPM (Intelligent Power Module)の高機能化，差別化のキーデバイスとして継続的な性能改善を行っており，パワー半導体素子の駆動機能に加え，保護機能の強化やROM内蔵，ブートストラップ機能内蔵などを進めている。また，この進化に対応するため，HVICは微細加工技術を適用することで，より大規模な回路の搭載を実現してきた。本稿では第2世代分割RESURF (REduced SURface Field)構造と，8インチ製造ライン／0.5μm相当のデザインルールを適用した第4世代600V HVICプロセス技術，搭載デバイス特性の概要について述べる。