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垂直MOSFET中的双RESURF沟槽场板

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本申请公开一种半导体器件(100)，其包括具有在垂直漂移区(110)的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽(112)的实例的垂直MOS晶体管(106)。垂直RESURF沟槽(112)包含在侧壁上的介电沟槽衬垫(114)、下场板(120)和上场板(122)。介电沟槽衬垫(114)在下场板与垂直漂移区(110)之间比在上场板与垂直漂移区(110)之间更厚。栅极(126)被设置在垂直漂移区(110)上方并且与上场板(122)分开。上场板(122)和下场板(120)被电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。

著录项

公开/公告号CN105009296B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26

原文格式PDF
申请/专利权人德克萨斯仪器股份有限公司;
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申请/专利号CN201480012018.1
发明设计人 C·B·科措;J·M·S·奈尔松;S·J·莫洛伊;H·卡瓦哈勒;H·杨;S·斯瑞达;H·吴;B·温;
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申请日2014-03-06
分类号
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民
地址美国德克萨斯州
入库时间 2022-08-23 11:02:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-26

授权

授权
2016-04-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140306

实质审查的生效
2015-10-28

公开

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1. 垂直MOSFET中的双RESURF沟槽场板 [P] . 中国专利： CN105009296B . 2020.06.26
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