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王勇;
中国电子学会;
低漏电硅;
机译:具有嵌入式和嵌入式硅锗源极/漏极的全耗尽型应变绝缘体上硅p-MOSFET
机译:使用氧化的n型和p型硅改善硅探测器的辐射硬度特性
机译:具有高k电介质栅极堆叠的绝缘子隧道场效应晶体管全耗尽硅正偏置温度不稳定特性研究
机译:基于并行计算方法的28nm全耗尽型硅绝缘子(FDSOI)静态特性对温度依赖性的建模
机译:红外焦平面阵列用硅化铂/ p型硅和硅化铱/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:抑制表面相关的电击穿长硅电极击穿硅结构的表面相关的电击穿。\ u3c + \ u3c / sup \ u3e- \ u3i \ u3ei / u3e-n \ u3csup \ u3e + \ u3c / sup \ u3e硅结构
机译:用于红外焦平面阵列的铂硅化物/ p型硅和铱硅化物/ p型硅肖特基势垒光电探测器的制造,微观结构表征和内部光响应
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
机译:完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)组合器件
机译:用全耗尽型绝缘硅工艺测量整体电路上电离剂量效应对整体电路造成的性能下降的装置和方法
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