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田大宇; 王金延; 王玮; 罗葵; 张录; 陈鸿飞; 邹鸿; 施伟红; 邹积清;
中国空间科学学会;
硅探测器; 全耗尽; 能量分辨率; 离子注入; 表面钝化; 性能指标;
机译:快速热退火和氢化表面钝化技术,具有优异综合性能的黑硅光电探测器
机译:具有双面硅条探测器和Nal(Tl)闪烁探测器的双散射型康普顿相机的研制
机译:基于硅离子注入的增强型和耗尽型MOSFET组成的基于GaN的单片反相器
机译:在Astro-e上的硬X射线探测器(HXD)的2毫米厚的耗尽层的大面积硅引脚二极管的研制
机译:硅金属半导体金属光电探测器:离子注入高速近红外光电二极管和位置敏感型光电探测器。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:耗尽型硅光调制器离子注入条件的优化
机译:全耗尽sOI(硅 - 氧化物)mOsFET中的导电分析
机译:两步N +离子注入制造双栅极半导体器件的方法以改善多晶硅耗尽
机译:使用碳或氟离子注入对源极漏极进行共掺杂以改善多晶硅耗尽
机译:通过硅离子注入降低晶圆耗尽缺陷浓度
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