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康晋锋;
中国电子学会;
集成电路工艺技术;
机译:硅基串联太阳能电池顶部子电池在n-Si(100)衬底上通过反应溅射原位生长Sb2S3薄膜
机译:H-Si(100)衬底上适于聚焦离子束直接磁图案化的亚稳态fcc Fe_(78)Ni_(22)薄膜的生长
机译:沉积在Ni-W(100),c-Al2O3(0001)和Si(100)衬底上的CeO2薄膜的X射线光电子能谱研究
机译:通过双离子束反应溅射在Si 100衬底上外延生长CeO / sub 2 / 100薄膜
机译:研究了银(100)上沉积的铑,铜(100)上沉积的金和硅(100)上沉积的金的超薄膜的稳定性。
机译:用于太阳能电池应用的平面Si(100)平面Si(111)和带纹理的Si(100)衬底上具有良好刻面的带纹理的ZnO的生长和表征
机译:生长速率对(100)si衬底上3C-siC薄膜残余应力的影响
机译:CoGe2合金薄膜在Gaas(100)上异质外延生长的纹理分析 - 元素离子束沉积
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:100器件,包括在100Si上的表位镍硅化物或在非晶硅上的稳定的镍硅化物及其制造方法
机译:快速N2热处理在Si100上生长100%超薄氮化物
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