微波功率锗硅肖特基异质结双极晶体管研究

摘要

该文提出利用ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性；在解决了在ＳｉＯ〈，２〉窗口上生长高质量大面积ＳｉＧｅ薄膜等关键技术问题之后，采用等平面工艺，研制出工作频率１ＧＨ〈，ｚ〉，输出功率４．５瓦，功率增益６．１ｄＢ的ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ。