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孙微风;
中国电子学会;
V槽隔离;
机译:通过将BF / sub 2 // sup + /注入双层CoSi / a-Si膜并随后进行退火来形成硅化钴p / sup + /多晶硅栅极的新工艺
机译:利用筛选和响应表面实验设计开发0.5微米CMOS自对准硅化钛工艺
机译:亚微米技术的自对准硅化钛工艺的优化
机译:自对准硅化钛工艺的稳健性:通过APM清洁步骤提高硅化器件的成品率
机译:用于闪光灯退火多晶硅TFT的自对准CMOS工艺的开发
机译:铁氟龙/ SiO2双层钝化层可提高采用新型双光掩模自对准工艺制造的氧化物TFT的电气可靠性
机译:用自对准硅化物工艺形成TiSi2 / n + p浅结的硅化物掺杂技术
机译:溅射铌硅化物在siO2,si3N4和N +多晶硅上的薄膜特性
机译:亚微米微米自对准硅化钛工艺的双多晶硅栅极结构的制造方法
机译:自对准多晶硅化物工艺,利用平坦化的材料层将多晶硅结构暴露于随后沉积的金属层,该金属层反应形成金属硅化物
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