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深亚微米全耗尽SOIMOSFET的短沟效应的研究

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该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。

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来源
《第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|1997年|241-243|共3页
会议地点青岛
作者
付军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
MOSFET;

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