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机译:纳米级全耗尽DG-SOIMOSFETS的紧凑建模和仿真
Department of Electronics and Communication Engineering, Guru Gobind Singh Indraprastha University, Delhi, India;
Amity University, Sector-125 Noida, India;
Department of Electronics and Communication Engineering, Guru Gobind Singh Indraprastha University, Delhi, India;
fully depleted; DG-SOI MOSFET; greens function; ATLAS simulator;
机译:柔和的SCE的纳米级全耗尽双材料栅极应变SOI / SON MOSFET的紧凑二维分析建模
机译:紧凑的二维电势模型,用于亚阈值表征纳米级完全耗尽的短沟道纳米线MOSFET
机译:完全耗尽的纳米级GeOI MOSFET漏极电流的二维紧凑模型,用于改进模拟电路设计
机译:耗尽型氮化镓(GaN)射频功率晶体管的基于物理的简单而精确的紧凑型电路仿真模型
机译:纳米器件的设计,紧凑建模和表征
机译:霍尔放大器纳米器件(HAND):太赫兹传感器的建模仿真和可行性分析
机译:纳米级电热协同仿真:双曲线传热和自洽器件的紧凑动态模型Monte Carlo