在同一芯片上建置全耗尽和部分耗尽晶体管

摘要

本发明揭示一种用于在半导体衬底(104)上形成全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管(150)和部分耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管(152)的方法，所述方法作为单个集成电路制造工艺流程的一部分。还揭示根据所述方法制造的半导体装置结构。