机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:短沟道全耗尽双材料栅极绝缘体上硅金属半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:带局部电荷的绝缘体上硅锗金属氧化物半导体场效应晶体管上短沟道应变硅阈值电压的解析模型
机译:n沟道,p沟道,耗尽型,增强型GaAs金属绝缘体半导体场效应晶体管,其栅极膜通过GaAs表面的氧氮化形成
机译:耗尽型氮化铝/ 4H碳化硅金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)的研究。
机译:用于生物传感器的灵敏的全耗尽型电解质-绝缘体-半导体场效应晶体管的标准CMOS制作
机译:(100) - (100) - 和(110) - 超薄 - 身体(UTB)硅 - 绝缘体(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(110) - 和(110) - 和(110)的孔隙
机译:评估绝缘体上硅mOs(金属氧化物半导体)晶体管对10-KeV X射线和钴-60辐照的响应