机译:在65 nm全耗尽应变和非应变SOI nMOSFET中,高栅极电压漏极电流趋于平稳,并且其低频噪声
机译:在部分耗尽的SOI nMOSFET薄栅极氧化物浮体中热载流子引起的漏极电流滞后和瞬变的退化
机译:热载流子应力对部分耗尽SOI nMOSFET的薄栅氧化物的栅极感应浮体效应和漏极电流瞬变的影响
机译:配对T检验统计评估完全耗尽金刚石SOI nMOSFET漏极电流分析模型的实验验证
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:有效验证色谱分析方法的实验和统计方案
机译:用于计算纳米级nmOsFET中漏极电流的先进传输模型的比较
机译:第208号工业指南:评估食用动物中兽药代谢和残留动力学的研究。用于残留物耗尽研究的分析方法的验证。 VICH GL49(R)。