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张炯;
中国电子学会;
晶闸管;
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:使用氙等离子体溅射技术提高钽栅MOS器件的栅氧化物可靠性
机译:NO退火对4H-SiC MOS器件栅氧化层TDDB可靠性的影响
机译:栅氧化层厚度对0.35 / splμm/ m NMOS器件中热载流子可靠性的影响
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:位错对siC mOs器件中栅氧化层和高可靠性ONO电介质的影响
机译:栅氧化层厚度对mOs集成电路速度的影响
机译:高性能PMOS器件的金属栅电极和氮化高K栅电介质结构中的工程氧分布
机译:高性能PMOS器件的金属栅电极和氮化的高k栅电介质结构中的工程氧分布
机译:高性能PMOS器件金属栅电极中的工程化氧分布和氮化高K栅介电结构。
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