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谭长华;
中国电子学会;
集成电路;
机译:Si-SiO_2界面处的修改边界条件,用于建模短沟道SOI MESFET的阈值电压和亚阈值摆幅
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:基于ANFIS的方法研究纳米级DG MOSFET的亚阈值摆幅行为,包括界面陷阱效应
机译:带有悬浮的锗/硅芯/壳纳米线通道的接近零亚阈值摆幅的纳米机电磁场效应晶体管。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:n沟道氮化mOsFET中低能ar +背面轰击引起的si-siO2界面陷阱特性
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:降低亚阈值摆幅的隧道场效应晶体管
机译:具有减小的亚阈值摆幅的隧道场效应晶体管
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