法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-17
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140818
实质审查的生效
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140818
实质审查的生效
2014-11-19
公开
公开
2014-11-19
公开
公开
机译: 降低SOI电路中NMOS器件的短沟道效应的方法
机译: 降低SOI电路中NMOS器件的短沟道效应的方法
机译: 在块状半导体衬底上沉积的非晶膜的局部厚盒横向外延重取向上制造局部SOI,用于光子学器件集成