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皇甫鲁江;
中国电子学会;
频率响应;
机译:深亚微米体和SOI MOSFET的温度相关高频噪声特性研究
机译:新型的纳米器件概念:准SOI MOSFET消除了UTB SOI MOSFET的潜在缺点
机译:与平面nMOSFET相比,使用带槽nMOSFET的超深亚微米CMOS器件增强了/ on / I_(off)
机译:深亚微米全耗尽SOI BJMOSFET频率特性的建模和仿真
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:对深亚微米FD-SOI MOSFET热噪声的自热响应
机译:深亚微米全耗尽sOImOsFET的DLTs和动态跨导分析
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
机译:包括具有包括金属硅化物层的源电极和漏电极的SOI MOSFET的半导体器件及其制造方法
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