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陶凯; 董业民; 易万兵; 王曦; 邹世昌;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
中国上海宏力半导体制造有限公司;
DSOI; SIMOX; 埋氧层;
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:深亚微米Cmos技术中栅极氧化层清洁温度对Goi可靠性和器件性能的影响
机译:具有低功率和高可靠性的深亚微米互补金属氧化物半导体器件的具有双高k栅氧化层厚度的Pt栅/ AI_2O_3 / p-Si(100)的电和物理分析
机译:深亚微米器件,在源/漏多晶硅(BIPS)之间埋有绝缘体
机译:被子包装集成和深亚微米互补金属氧化物半导体器件的制造
机译:亚微米级逐层电喷沉积制备高介电常数无裂纹钛酸钡薄膜
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:氮化硅-TEOS氧化物,深亚微米器件的自对准硅化物阻挡层
机译:用于半导体器件的亚微米图案形成。 -在X =射线敏感涂层上使用亚微米图案层的辐照,其厚度约为2微米
机译:一种制备组合物的方法,该方法包括含有或覆盖有活性剂的亚微米颗粒;包含亚微米或亚微米的含颗粒组合物涂覆有至少一种杀生物剂的层。
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