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朱科翰; 杜晓阳; 于宗光; 韩雁; 崔强; 霍明旭; 董树荣;
江南大学信息学院;
江苏无锡214000;
浙江大学信电系微电子所ESD实验室;
杭州310027;
中国电子科技集团第58研究所;
江苏无锡214035;
场氧器件; 静电防护; 深亚微米; 传输线脉冲;
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:深亚微米器件和模拟电路参数对光晕掺杂工艺变化的敏感性及其对电路线性的影响
机译:深亚微米CMOS工艺中布局参数对CMOS器件ESD鲁棒性的依赖性分析
机译:STI二极管作为深亚微米(DSM)CMOS工艺中的静电放电(ESD)保护器件的研究
机译:深亚微米MOSFET器件中的二维静电势分布的表征。
机译:亚微米粒子结构作为可重构光子器件可通过外部光子和磁场控制
机译:深亚微米器件的三维仿真。杂质原子如何影响电导率
机译:用于深亚微米器件工艺的改良凹进式局部隔离工艺
机译:-用于深亚微米器件工艺的改进后的LOCOS隔离工艺
机译:采用深亚微米CMOS工艺构建的高压N沟道LDMOS器件
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