深亚微米栅HFET器件工艺研究

摘要

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField－EffectTransistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺，获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm)。