机译:器件缩放对深亚微米薄栅氧化物CMOS器件的1 / f噪声性能的影响
Device Technology Division, Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., TD/DTD Spice Modeling, 60 Woodlands Industrial Park D, Street 2, Singapore 738406, Singapore;
1/f noise; technology scaling; nitridation; low standby power transistor; device geometry scaling; lorentzian spectra; corner frequency;
机译:来自不同代工厂的深亚微米CMOS器件的噪声性能和缩放效应的调查
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:晕轮掺杂对超低功耗模拟/混合信号应用中深亚微米CMOS器件和电路的亚阈值性能的影响
机译:具有超薄栅极氧化物的高级CMOS器件中噪声的排水和栅极电流
机译:栅极氧化物的完整性,可实现深亚微米CMOS器件/电路的可靠性。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:用于纳米级CMOS器件的超薄栅极氧化物和高k电介质的可靠性建模