深亚微米集成电路制造工艺中集成不同厚度栅氧的方法

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域，具体为一种深亚微米集成电路技术中形成不同厚度栅氧的方法。将高低压不同厚度栅氧集成起来的一个难点是如何将低压隔离区氧化层厚度与普通工艺保持一致。目前做法是将低压部分用氮化硅层保护，单独长高压区的栅氧。这不仅多了氮化硅淀积和腐蚀步骤，同时高压栅氧会受氮化硅及氧化层腐蚀步骤的影响，其厚度和质量较难控制。本发明是分别形成低压和高压晶体管所需不同厚度的栅氧，其中，高压栅氧通过热氧化、氧化层淀积、热氧化及退火三步完成，其第三步热氧化及退火与低压栅氧的氧化同时完成。不仅减少了工艺步骤，而且可以更好控制高压栅氧的厚度和质量。