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胡静珍; 唐长文; 闵昊;
复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室;
数字集成电路; 逻辑综合; 静态时序分析(STA); 布局布线;
机译:<![CDATA [可扩展的 < MML:MROW> α MML:MI> MML:MROW> MML:MATH> -Power定律MOSFET模型,用于超深亚微米数字集成电路设计的表征]]]>
机译:和谐:深亚微米数字集成电路的静态噪声分析
机译:评估优化亚阈值设计的途径:深亚微米和超深亚微米区域中的比例大块nMOSFET
机译:抑制深亚微米数字集成电路(面板)中的噪声
机译:深亚微米(DSM)设计自动化技术可减轻工艺变化。
机译:基于晶体管关联技术的深亚微米EGFET用于化学传感
机译:和谐:深亚微米数字集成电路的静噪分析
机译:使用深亚微米超大规模集成(VLsI)技术的认知处理器设计的性能和功耗优化
机译:半导体组件,尤其是亚微米或深亚微米DRAM单元,具有深沟槽,其上,下侧壁区域在一定深度处通过突然的宽度增加而分隔开
机译:制作亚微米结构的过程及其在半导电体的亚微米宽度制造深介电隔离区中的应用
机译:用于制造亚微米结构的方法以及该方法在半导体本体中制造具有亚微米宽度的深电介质隔离区中的用途
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