深亚微米工艺下抗辐照数字集成电路研究

目录

声明

第一章 绪 论

1.1 研究工作的背景与意义

1.2 辐射环境介绍

1.3 国内外研究现状

1.4 本论文的结构安排

第二章 辐射效应基本理论与加固技术

2.1 位移损伤

2.2 单粒子辐射效应

2.3 总剂量辐射效应

2.4 本章小结

第三章 28nm三阱工艺CMOS电路的脉冲激光模拟单粒子试验

3.1 脉冲激光诱发单粒子效应

3.2 基于28nm体硅CMOS工艺下深N阱结构单粒子辐射研究

3.3 本章小结

第四章 三阱工艺器件的单粒子效应仿真与加固技术研究

4.1 辐射效应仿真的流程

4.2 深N阱对三阱体硅CMOS器件SEE的影响

4.3 三阱体硅NMOS单粒子瞬态效应的加固方法研究

4.4 本章小结

第五章 28nm体硅NMOS器件的总剂量效应研究

5.1 实验概述

5.2 实验结果与分析

5.3 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果