深亚微米下芯片后端物理设计方法学研究

摘要

随着摩尔定律的发展，90/65nm工艺下的大规模越来越多，后端物理设计变得更加复杂，遇到了很多新问题，如高集成度、层次化设计、泄漏功耗、多角落-多模式、串扰噪声等，签收的标准也发生了变化。因此必须改进物理设计方法学，适应新的情况，来取得流片成功。