N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS器件的耐压特性

摘要

为了提高横向小尺寸薄埋氧层BPL SOI LDMOS器件的横向耐压,提出一种N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS结构.该结构在BPL SOI LDMOS N漂移区的上表面引入一个沟槽.当器件正向截止时,与原结构相比,新结构具有更高的横向耐压值和漂移区最优掺杂浓度.采用2维数值仿真工具TCAD对该器件结构仿真测试,结果表明与原结构相比,该结构横向耐压得到显著提高.