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机译:Cu(In,Ga)Se_2吸收剂的减薄和均匀界面模型:Mo背接触和三阶段工艺对器件特性的影响
Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN)-UMR 6502, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes Cedex 3, France;
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Facuity of Physics, Warsaw University of Technology, Koszykowa 75, PL 00-662 Warsaw, Poland;
Instituto de Energia Solar-ETSIT, Technical University of Madrid, Ciudad Universitaria s.n., 28040 Madrid, Spain;
Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN)-UMR 6502, Universite de Nantes, CNRS, 2 rue de la Houssiniere, BP 32229, 44322 Nantes Cedex 3, France;
机译:Cu(In,Ga)Se
机译:NaF前驱体三阶段沉积工艺制备Cu(In,Ga)Se_2薄膜的生长特性
机译:Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳能电池背接触吸收体界面处附加碳层的影响
机译:Sn浓度在Cu(IN_(1-x)Ga_x)Se_2薄膜太阳能电池的装置性能下氧化铟锡偶联偶联的影响
机译:改善CDTE设备的Voc的方法:设备建模和更薄的设备,可选的后触点。
机译:数据集展示了基于高性能Cu(InGa)Se2吸收体的薄膜光伏电池的建模
机译:Cu(In,Ga)Se2吸收剂减薄和均匀界面模型:Mo背接触和三阶段工艺对器件特性的影响