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罗小蓉; 李肇基; 张波;
电子科技大学IC设计中心;
可变低κ介质层; 纵向电场; 调制; RESURF判据; 击穿电压;
机译:具有可变低介电埋层和埋P层的部分SOI功率LDMOS
机译:与p型SOI层上的高压集成电路兼容的高压LDMOS
机译:用于150 V SOI BCD工艺的高压SCR-LDMOS ESD器件的研究
机译:具有可变低k电介质掩埋层的部分SOI电源LDMO和埋设的P层
机译:图案化SOI LDMOS埋入式绝缘子的热分析
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:基于薄sOI技术的高性能80V智能LDmOs功率器件
机译:紧凑型毫米波器件:介质负载Carm,高压Carm,慢波波长和高谐波回旋管。
机译:在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译:具有增强的电介质应变层的高性能LDMOS器件
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