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机译:具有可变低介电埋层和埋P层的部分SOI功率LDMOS
Breakdown voltage (BV); buried layer; electric field; low-$k$ dielectric; silicon on insulator (SOI);
机译:部分SOI上的新型低介电埋层高压LDMOS
机译:具有衬底场板和可变k介电埋层的新型SOI LDMOS
机译:具有优化的部分n + sup>埋层的SOI-LDMOS晶体管,可提高功率放大器应用的性能
机译:具有可变低k介电埋层和p埋层的部分SOI功率LDMOS
机译:图案化SOI LDMOS埋入式绝缘子的热分析
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:n +埋层上植入的resurf p-LDMOS器件的击穿电压模型
机译:具有由半导体激光器产生的等离子体层(表面或掩埋)的半导体介电波导的毫米波应用。