复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件

摘要

为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成.复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应.仿真结果表明,在漂移区长度为57 μm时,新结构耐压达到了1 052 V,与CamSemiSOI相当,而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemi SOI降低了233.05 Ω·mm2和64 K.