一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件

摘要

本发明涉及一种具有体内导电沟道的薄层SOI‑LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。该器件在传统薄层SOI‑LDMOS器件的基础上，将表面栅极转移到埋氧层中形成体内栅极，在P‑body下表面形成体内导电沟道。同时，在器件的漂移区刻蚀并填充二氧化硅，该器件具有以下优点：在正向导通时，体内栅电压对电流的控制能力有很大的提高，器件的跨导gmMAX相比与传统器件、传统超结器件分别提高了298.7％、87.1％，进一步在漂移区刻蚀并填充二氧化硅能提高漂移区的掺杂浓度进而减小器件的比导通电阻，最终提高器件的Baliga优值FOM。