机译:聚合物铁电场效应存储器与SNO通道层的存储器展示记录孔移动性
机译:ZnO沟道厚度对带有Al2O3和铁电聚合物双层栅极绝缘体的非易失性存储薄膜晶体管器件性能的影响
机译:具有控制的金属纳米粒子/聚合物复合层的基于有机场效应晶体管的非易失性存储器件
机译:基于铁电聚合物纳米线阵列的场效应存储晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有SnO沟道层的聚合物铁电场效应存储器件具有记录空穴迁移率
机译:基于(Ga,Mn)As和(Ga,Be)As的电场效应器件中空穴累积和耗尽层的红外电导率