halfgeleiderinrichting, comprising a halfgeleiderlichaam with a toevoergebied and afvoergebied with the toevoergebied is connected with at least a kanaalgebied,bounded by a stuurgebied with the geleidingstype of supply, the drain and the kanaalgebied opposite geleidingstype.

机译： 半导体器件包括至少一个沟道区，该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接，该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区，该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体，该沟道区至少由沟道区连接。

机译： 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶，该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合，并且导电率高于半吉利德型，并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对，第二黄变相反当在第一个和第二个基础接触之间连接一个插接的sbron时，在第一个和第二个基础接触之间就形成了一个绝热负的weerstandskarakteristiek，显示了这种半geleideriderrichting。

机译： 在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶，该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合，并且导电率高于半吉利德型，并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对，第二黄变相反当在第一和第二基极接触点之间连接一个插接的sbron时，并且在第一和第二基极接触点之间形成了一个绝热负负weerstandskarakteristiek，显示了这种半geleleiderinrichting。