用于通过使漏极及源极区凹陷而在晶体管中紧邻沟道区提供应力源的技术

摘要

藉由使场效晶体管的漏极及源极区(114，214)凹陷(112D，212D)，可在凹处(112，212)中形成高应力层(118，218)，例如，接触蚀刻中止层，以便增进于场效应晶体管(100，200)的邻近沟道区(104，204)中的应变产生。此外，藉由减少或避免金属硅化物(217)之不当的松弛效应(relaxation effect)，可使应变半导体材料(203)位在紧邻沟道区(104，204)，从而也提供增进的应变产生效率。在一些态样中，可组合两种效果以得到甚至更有效率的应变引发机构。